Semiconductor device producing method and substrate treatment device

WO2014112572 Art A1 24. Juli 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014112572
Aktenzeichen: EP14740679
Anmeldetag: 17. Januar 2014
Veröffentlichung: 24. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285C23C16/36H01L21/28H01L21/31H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

21.149 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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