Method of fabricating a bond pad in a semiconductor device

WO2014112864 Art A1 24. Juli 2014

Anmelder: Mimos, Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014112864
Aktenzeichen: EP14715133
Anmeldetag: 16. Januar 2014
Veröffentlichung: 24. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/311H01L21/768H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mimos, Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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