Method for determining the phase angle and/or the thickness of a contamination layer at an optical element and euv lithography apparatus

WO2014114382 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Carl Zeiss SMT GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014114382
Aktenzeichen
EP13799233
Anmeldetag
19. November 2013
Veröffentlichung
31. Juli 2014
Rechtsraum
WO
IPC
G03F7/20B08B7/00G01B11/06G01N21/94G21K1/06
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Carl Zeiss SMT GmbH
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Carl Zeiss SMT

Deutsches Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe mit Sitz in Oberkochen, das optische Systeme und Lithographieoptiken für die Halbleiterindustrie entwickelt.

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