Back Gate in Select Transistor For Edram

WO2014114406 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014114406
Aktenzeichen: EP13803024
Anmeldetag: 12. Dezember 2013
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/84H01L29/786H01L27/108H01L27/12G11C11/404

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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