Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
WO2014115253
Art A1
31. Juli 2014
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014115253
- Aktenzeichen
- EP13872400
- Anmeldetag
- 23. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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