Method for manufacturing semiconductor device, substrate treatment apparatus and recording medium

WO2014115702 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014115702
Aktenzeichen: EP14743639
Anmeldetag: 21. Januar 2014
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60B23K1/008

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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