Method for pattern measurement, method for setting device parameters of charged particle radiation device, and charged particle radiation device

WO2014115740 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014115740
Aktenzeichen: EP14743278
Anmeldetag: 22. Januar 2014
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01B15/04G01B15/00G01N23/225H01J37/28H01J37/30H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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