Composition for forming upper layer film of lithographic resist and method for producing semiconductor device using same

WO2014115843 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014115843
Aktenzeichen: EP14743949
Anmeldetag: 24. Januar 2014
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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