Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group iii-v active layer

WO2014116433 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014116433
Aktenzeichen: EP14742843
Anmeldetag: 9. Januar 2014
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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