Metal-Insulator-Metal Capacitor Formation Techniques

WO2014116496 Art A1 31. Juli 2014

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014116496
Aktenzeichen: EP14742852
Anmeldetag: 16. Januar 2014
Veröffentlichung: 31. Juli 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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