Plasma-generating device with reduction of the overvoltage at the terminals of the communication transistor, and corresponding control method

WO2014118451 Art A1 7. August 2014

Anmelder: Renault S.A.S. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014118451
Aktenzeichen
EP14703128
Anmeldetag
10. Januar 2014
Veröffentlichung
7. August 2014
Rechtsraum
WO
IPC
F02P9/00F02P23/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Renault S.A.S.
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Renault

Französischer Automobilhersteller mit Sitz bei Paris, gegründet 1899. Entwickelt und produziert Pkw und Nutzfahrzeuge sowie Antriebs- und Elektromobilitätstechnologien.

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