Silicon dry etching method
WO2014119474
Art A1
7. August 2014
Anmelder: Central Glass Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014119474
- Aktenzeichen
- EP14745899
- Anmeldetag
- 24. Januar 2014
- Veröffentlichung
- 7. August 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Central Glass Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Central Glass
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, das Flachglas, Spezialglas sowie Fluorchemikalien für Industrie und Bauwesen herstellt.
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