Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films
WO2014124056
Art A1
14. August 2014
Anmelder: Entegris, Inc., ATMI Korea Co. Ltd 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014124056
- Aktenzeichen
- EP14748729
- Anmeldetag
- 5. Februar 2014
- Veröffentlichung
- 14. August 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C30/00C23C16/00C23C16/448
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Entegris, Inc.
ATMI Korea Co. Ltd - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Entegris
US-amerikanischer Hersteller von Spezialmaterialien und Filtrationslösungen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Massachusetts.
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