Multi-step deposition of ferroelectric dielectric material

WO2014124413 Art A1 14. August 2014

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014124413
Aktenzeichen: EP14749502
Anmeldetag: 11. Februar 2014
Veröffentlichung: 14. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H03K19/185H01L21/02H01G7/06C23C16/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von