Method of fabricating an integrated circuit device, and an integrated circuit device therefrom

WO2014125318 Art A1 21. August 2014

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014125318
Aktenzeichen: EP13717852
Anmeldetag: 12. Februar 2013
Veröffentlichung: 21. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/495H01L23/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von