Substrate processing device, method of producing semiconductor device and substrate processing method

WO2014125653 Art A1 21. August 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014125653
Aktenzeichen: EP13874952
Anmeldetag: 22. März 2013
Veröffentlichung: 21. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C14/42C23C16/44H01L21/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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