Group iii-nitride composite substrate and method of producing same, layered group iii-nitride composite substrate, as well as group iii-nitride semiconductor device and method of producing same

WO2014125688 Art A1 21. August 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014125688
Aktenzeichen: EP13875077
Anmeldetag: 12. November 2013
Veröffentlichung: 21. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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