Thin film forming method, semiconductor substrate produced by employing same, and electronic device

WO2014125786 Art A1 21. August 2014

Anmelder: Hiroshima University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014125786
Aktenzeichen: EP14752071
Anmeldetag: 4. Februar 2014
Veröffentlichung: 21. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L21/336H01L27/12H01L29/786H01L31/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hiroshima University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hiroshima University

Die Hiroshima University ist eine staatliche japanische Universität mit breiter Forschung in Medizin, Pharmazie und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma- und Biotechnologie sowie Medizintechnik, ergänzt durch organische Chemie und Messtechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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