Silicon carbide single crystal, and method for producing silicon carbide single crystal

WO2014129103 Art A1 28. August 2014

Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014129103
Aktenzeichen: EP14754112
Anmeldetag: 13. Januar 2014
Veröffentlichung: 28. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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