Semiconductor structure having silicon devices, column iii-nitride devices, and column iii-non-nitride or column ii-vi devices

WO2014130165 Art A1 28. August 2014

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014130165
Aktenzeichen: EP14701249
Anmeldetag: 7. Januar 2014
Veröffentlichung: 28. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8258H01L21/06H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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