Apparatus and methods for forming a memory cell using charge monitoring

WO2014130543 Art A1 28. August 2014

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014130543
Aktenzeichen: EP14754544
Anmeldetag: 19. Februar 2014
Veröffentlichung: 28. August 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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