Low Leakage Dual Sti Integrated Circuit Including Fdsoi Transistors

WO2014131459 Art A1 4. September 2014

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, International Business Machines Corporation, STMicroelectronics, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014131459
Aktenzeichen: EP13709802
Anmeldetag: 28. Februar 2013
Veröffentlichung: 4. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/12H01L21/762H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
International Business Machines Corporation
STMicroelectronics, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von