Dual sti integrated circuit including fdsoi transistors and method for manufacturing the same

WO2014131461 Art A1 4. September 2014

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, International Business Machines Corporation, STMicroelectronics, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014131461
Aktenzeichen: EP13707164
Anmeldetag: 28. Februar 2013
Veröffentlichung: 4. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/84H01L27/12H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
International Business Machines Corporation
STMicroelectronics, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von