Silicon carbide semiconductor device

WO2014132689 Art A1 4. September 2014

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014132689
Aktenzeichen: EP14757293
Anmeldetag: 16. Januar 2014
Veröffentlichung: 4. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L21/8234H01L27/04H01L27/06H01L29/06H01L29/12H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von