Dielectric-based memory cells having multi-level one-time programmable and bi-level rewriteable operating modes and methods of forming the same

WO2014133979 Art A1 4. September 2014

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014133979
Aktenzeichen: EP14720276
Anmeldetag: 25. Februar 2014
Veröffentlichung: 4. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/102G11C17/16H01L27/24G11C11/56H01L45/00H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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