Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes

WO2014134444 Art A1 4. September 2014

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014134444
Aktenzeichen: EP14757404
Anmeldetag: 28. Februar 2014
Veröffentlichung: 4. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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