Photoactive devices having low bandgap active layers configured for improved efficiency and related methods

WO2014135944 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014135944
Aktenzeichen: EP14715989
Anmeldetag: 21. Februar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/068H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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