Substrate for oxide semiconductor thin film transistor

WO2014136375 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136375
Aktenzeichen: EP14760558
Anmeldetag: 24. Januar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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