Oxide layer and production method for oxide layer, as well as capacitor, semiconductor device, and microelectromechanical system provided with oxide layer

WO2014136463 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136463
Aktenzeichen: EP14760510
Anmeldetag: 6. Januar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/33H01G4/12H01L21/316H01L21/336H01L29/786

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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