Thin film transistor and method for manufacturing same

WO2014136591 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Chubu University Educational Foundation, National University Corporation Hokkaido University, Osaka University, Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136591
Aktenzeichen: EP14760865
Anmeldetag: 21. Februar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/205H01L21/336H01L29/78H01L51/05H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Chubu University Educational Foundation
National University Corporation Hokkaido University
Osaka University
Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

882 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von