Method for manufacturing gallium nitride crystal free-standing substrate

WO2014136602 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Yamaguchi University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136602
Aktenzeichen: EP14760719
Anmeldetag: 24. Februar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B25/20H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Yamaguchi University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Yamaguchi University

Die Yamaguchi University ist eine japanische staatliche Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Pharma und Medizintechnik, ergänzt um organische Chemie, Halbleiter- und Messtechnik sowie Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken ein breites Spektrum von Geopolymer-Baustoffen bis zu Halbleitermaterialien wie Galliumoxid ab.

250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von