Oxide for semiconductor layer of thin film transistor, thin film transistor, and display device

WO2014136661 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136661
Aktenzeichen: EP14760979
Anmeldetag: 27. Februar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.)
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Mischkonzern mit Sitz in Kobe, gegründet 1905. Tätigkeitsfelder umfassen Stahl- und Aluminiumerzeugnisse, Maschinenbau sowie Werkstofftechnik.

1.784 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von