Planarization method, substrate treatment system, mram manufacturing method, and mram element

WO2014136855 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Tokyo Electron Limited, University of Hyogo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136855
Aktenzeichen: EP14759532
Anmeldetag: 27. Februar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L27/105H01L43/08H01L43/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
University of Hyogo
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von