Method for producing silicon carbide single crystal

WO2014136903 Art A1 12. September 2014

Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014136903
Aktenzeichen: EP14759576
Anmeldetag: 6. März 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Hitachi Chemical Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von