Apparatus and method for growing silicon carbide single crystals

WO2014137072 Art A1 12. September 2014

Anmelder: SKC Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014137072
Aktenzeichen: EP14760197
Anmeldetag: 21. Januar 2014
Veröffentlichung: 12. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B15/10C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SKC Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SKC

SKC ist ein südkoreanischer Chemie- und Materialkonzern, Teil der SK-Gruppe, mit Schwerpunkt Kunststofffolien und Halbleitermaterialien. Der Patentbestand konzentriert sich auf Kunststoff- und Polymertechnik sowie Fertigungs- und Optiktechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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