Gate device unit for cross array integration mode of bipolar resistive random access memory

WO2014139277 Art A1 18. September 2014

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014139277
Aktenzeichen: EP13877819
Anmeldetag: 24. September 2013
Veröffentlichung: 18. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L29/861H01L45/00G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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