Electrochemically-gated field-effect transistor, method for its manufacture, its use, and electronics comprising said field- effect transistor

WO2014139652 Art A1 18. September 2014

Anmelder: Karlsruher Institut für Technologie 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014139652
Aktenzeichen: EP14709878
Anmeldetag: 8. März 2014
Veröffentlichung: 18. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/45H01L29/49H01L29/786H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Karlsruher Institut für Technologie
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Karlsruher Institut für Technologie

Deutsche Universität und Forschungseinrichtung in Karlsruhe, entstanden aus Fusion von Universität und Großforschungszentrum, mit Lehre und Forschung in Natur-, Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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