Light Emitting Diode Semiconductor Structures Having Active Regions Comprising Ingan

WO2014140372 Art A1 18. September 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014140372
Aktenzeichen: EP14710569
Anmeldetag: 17. März 2014
Veröffentlichung: 18. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/08H01L33/32H01L21/34H01L21/02C30B29/40H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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