Leakage reduction structures for nanowire transistors

WO2014142856 Art A1 18. September 2014

Anmelder: Intel IP Corporation, Kuhn, Kelin, Rios, Rafael, Armstrong, Mark, Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014142856
Aktenzeichen: EP13878239
Anmeldetag: 14. März 2013
Veröffentlichung: 18. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Intel IP Corporation
Kuhn, Kelin
Rios, Rafael
Armstrong, Mark
Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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