Method of making high-voltage mos transistors with thin poly gate
WO2014143408
Art A1
18. September 2014
Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014143408
- Aktenzeichen
- EP14702407
- Anmeldetag
- 16. Januar 2014
- Veröffentlichung
- 18. September 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Silicon Storage Technology Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Silicon Storage Technology
Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.
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