Short-gate tunnelling field-effect transistor of vertical non-uniform doped channel and preparation method therefor

WO2014146417 Art A1 25. September 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014146417
Aktenzeichen: EP13878601
Anmeldetag: 30. September 2013
Veröffentlichung: 25. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788H01L29/36H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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