Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and x-ray sensor

WO2014148206 Art A1 25. September 2014

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014148206
Aktenzeichen: EP14769532
Anmeldetag: 24. Februar 2014
Veröffentlichung: 25. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368H01L21/336H01L29/786H01L51/50H05B33/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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