Dielectric layer and manufacturing method of dielectric layer, and solid-state electronic device and manufacturing method of solid-state electronic device
WO2014148336
Art A1
25. September 2014
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014148336
- Aktenzeichen
- EP14770402
- Anmeldetag
- 12. März 2014
- Veröffentlichung
- 25. September 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316C01G33/00C01G35/00C01G53/00H01L21/8246H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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