Resistance Change Memory
WO2014148405
Art A1
25. September 2014
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, SK hynix Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014148405
- Aktenzeichen
- EP14769363
- Anmeldetag
- 11. März 2014
- Veröffentlichung
- 25. September 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/15G11C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
SK hynix Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
3.468 Patente in unserer Datenbank
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
59 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
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