Method of manufacturing a monolayer graphene photodetector and monolayer graphene photodetector

WO2014149004 Art A1 25. September 2014

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014149004
Aktenzeichen: EP14770949
Anmeldetag: 20. März 2014
Veröffentlichung: 25. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0256H01L31/18B82Y99/00B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

1.005 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von