Reduction Of Basal Plane Dislocations in Epitaxial Sic Using an In-Situ Etch Process

WO2014150400 Art A1 25. September 2014

Anmelder: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014150400
Aktenzeichen: EP14769748
Anmeldetag: 11. März 2014
Veröffentlichung: 25. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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