Metal aluminum nitride embedded resistors for resistive random memory access cells

WO2014150985 Art A1 25. September 2014

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Inc., SanDisk 3D LLC, Intermolecular, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014150985
Aktenzeichen: EP14770335
Anmeldetag: 12. März 2014
Veröffentlichung: 25. September 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba, Inc.
SanDisk 3D LLC
Intermolecular, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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