Memory structure and method for forming same

WO2014153834 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014153834
Aktenzeichen: EP13879919
Anmeldetag: 31. Mai 2013
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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