Thin film transistor, amorphous silicon flat panel detection substrate, and preparation method therefor

WO2014153871 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014153871
Aktenzeichen: EP13880582
Anmeldetag: 20. Juni 2013
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L27/146H01L21/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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