High-electron-mobility transistor employing gate first process and manufacturing method for the transistor
WO2014154120
Art A1
2. Oktober 2014
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014154120
- Aktenzeichen
- EP14775683
- Anmeldetag
- 24. März 2014
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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